CMSBN6601-HF

codice articolo del costruttore:	CMSBN6601-HF
Produttore:	Comchip Technology
Parte della descrizione:	MOSFET DUAL N-CH 20VDS 12VGS 13A
Schede tecniche:	CMSBN6601-HF Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	2W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	CSPB2718-6

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