S12M

codice articolo del costruttore:	S12M
Produttore:	GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione:	DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Schede tecniche:	S12M Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Active
Tipo di diodo	Standard
Tensione - DC inversa (Vr) (max)	1000 V
Corrente - Media Rettificata (Io)	12A
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If	1.1 V @ 12 A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10 µA @ 50 V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Chassis, Stud Mount
Pacchetto / caso	DO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-4
Temperatura di esercizio - Giunzione	-65°C ~ 175°C

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