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GeneSiC Semiconductor / 1N3767R

1N3767R

codice articolo del costruttore: 1N3767R
Produttore: GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione: DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5
Schede tecniche: 1N3767R Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo di diodoStandard, Reverse Polarity
Tensione - DC inversa (Vr) (max)900 V
Corrente - Media Rettificata (Io)35A
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 35 A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10 µA @ 50 V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / casoDO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-5
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 190°C
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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