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IR (Infineon Technologies) / IDC08S120EX7SA1
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IDC08S120EX7SA1
| codice articolo del costruttore: | IDC08S120EX7SA1 |
| Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte della descrizione: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER |
| Schede tecniche: | IDC08S120EX7SA1 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- IR (Infineon Technologies) IDC08S120EX7SA1 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | CoolSiC™+ |
| Pacchetto | Bulk |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC inversa (Vr) (max) | 1200 V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 7.5A (DC) |
| Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 7.5 A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0 ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 180 µA @ 1200 V |
| Capacità @ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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