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codice articolo del costruttore: | SSM6K516NU,LF |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | - |
Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 30 V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
Vgs (massimo) | +20V, -12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 15 V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-UDFNB (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Stato delle scorte: 6000
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
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