R6524ENZC8

codice articolo del costruttore:	R6524ENZC8
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 750µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1.65 nF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	74W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3
Pacchetto / caso	TO-3P-3 Full Pack

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