G3R20MT17N

codice articolo del costruttore:	G3R20MT17N
Produttore:	GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione:	SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Schede tecniche:	G3R20MT17N Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	G3R™
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 75A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	400 nC @ 15 V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10187 pF @ 1000 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	523W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC

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