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Central Semiconductor / CP375-CWDM3011N-CT

CP375-CWDM3011N-CT

codice articolo del costruttore: CP375-CWDM3011N-CT
Produttore: Central Semiconductor
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTray
Stato della parteLast Time Buy
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 5 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds860 pF @ 15 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDie
Pacchetto / casoDie
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Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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