R6535KNZC8

codice articolo del costruttore:	R6535KNZC8
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NOTA: ROHM Semiconductor R6535KNZC8 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.

Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1.21mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3 nF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	102W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3
Pacchetto / caso	TO-3P-3 Full Pack

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

Modelli popolari

Questo articolo è stato aggiunto al tuo carrello.