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Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) / TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

codice articolo del costruttore: TH58BYG2S3HBAI6
Produttore: Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Parte della descrizione: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieBenand™
PacchettoTray
Stato della parteActive
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura: parola, pagina25ns
Tempo di accesso25 ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore67-VFBGA (6.5x8)
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 338

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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