EMH1T2R

codice articolo del costruttore:	EMH1T2R
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Schede tecniche:	EMH1T2R Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo di transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)	100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	50V
Resistenza - Base (R1)	22kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)	22kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 5mA, 5V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	150mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	EMT6

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 6867

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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