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NXP Semiconductors / PDTD113ZS,126

PDTD113ZS,126

codice articolo del costruttore: PDTD113ZS,126
Produttore: NXP Semiconductors
Parte della descrizione: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Schede tecniche: PDTD113ZS,126 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTape & Box (TB)
Stato della parteObsolete
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)50 V
Resistenza - Base (R1)1 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max500 mW
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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