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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

codice articolo del costruttore: RN1118MFV,L3F
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Schede tecniche: RN1118MFV,L3F Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTape & Reel (TR)
Stato della parteActive
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)50 V
Resistenza - Base (R1)47 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)500nA
Frequenza - Transizione250 MHz
Potenza - Max150 mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-723
Pacchetto dispositivo fornitoreVESM
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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Calcolo del trasporto

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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