DTD713ZMT2L

codice articolo del costruttore:	DTD713ZMT2L
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Schede tecniche:	DTD713ZMT2L Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Not For New Designs
Tipo di transistor	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)	200 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	30 V
Resistenza - Base (R1)	1 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)	10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	140 @ 100mA, 2V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	260 MHz
Potenza - Max	150 mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore	VMT3

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 5522

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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