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IR (Infineon Technologies) / BSC072N03LDGATMA1

BSC072N03LDGATMA1

codice articolo del costruttore: BSC072N03LDGATMA1
Produttore: IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Schede tecniche: BSC072N03LDGATMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieOptiMOS™
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteObsolete
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 15V
Potenza - Max57W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8-4
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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