PMDXB600UNEZ

codice articolo del costruttore:	PMDXB600UNEZ
Produttore:	Nexperia
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Schede tecniche:	PMDXB600UNEZ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	21.3pF @ 10V
Potenza - Max	265mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN1010B-6

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