FDMQ86530L

codice articolo del costruttore:	FDMQ86530L
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Schede tecniche:	FDMQ86530L Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	GreenBridge™ PowerTrench®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2295pF @ 30V
Potenza - Max	1.9W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	12-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	12-MLP (5x4.5)

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