NTE2960

codice articolo del costruttore:	NTE2960
Produttore:	NTE Electronics, Inc.
Parte della descrizione:	MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
Schede tecniche:	NTE2960 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Bag
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 25V
Potenza - Max	40W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220 Full Pack

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 116

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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