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codice articolo del costruttore: | SSM6N815R,LF |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Parte della descrizione: | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
Schede tecniche: | SSM6N815R,LF Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | U-MOSVIII-H |
Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP-F |
Stato delle scorte: 314
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
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