VT6M1T2CR

codice articolo del costruttore:	VT6M1T2CR
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Schede tecniche:	VT6M1T2CR Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7.1pF @ 10V
Potenza - Max	120mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore	VMT6

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