TPS1120DR

codice articolo del costruttore:	TPS1120DR
Produttore:	Texas Instruments
Parte della descrizione:	MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Schede tecniche:	TPS1120DR Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	15V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	840mW
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC

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