SI4214DDY-T1-E3

codice articolo del costruttore:	SI4214DDY-T1-E3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
Schede tecniche:	SI4214DDY-T1-E3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Potenza - Max	3.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

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