US6J11TR

codice articolo del costruttore:	US6J11TR
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Schede tecniche:	US6J11TR Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V
Potenza - Max	320mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore	TUMT6

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