FDR8305N

codice articolo del costruttore:	FDR8305N
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
Schede tecniche:	FDR8305N Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	PowerTrench®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Potenza - Max	800mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	SuperSOT™-8

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