LN60A01ES-LF-Z

codice articolo del costruttore:	LN60A01ES-LF-Z
Produttore:	MPS (Monolithic Power Systems)
Parte della descrizione:	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Schede tecniche:	LN60A01ES-LF-Z Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	3 N-Channel, Common Gate
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.3W
temperatura di esercizio	-20°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC

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