SIS990DN-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SIS990DN-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Schede tecniche:	SIS990DN-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 50V
Potenza - Max	25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8 Dual

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