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| codice articolo del costruttore: | BSO612CV |
| Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte della descrizione: | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC |
| Schede tecniche: | BSO612CV Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | SIPMOS® |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | P-DSO-8 |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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