NVDD5894NLT4G

codice articolo del costruttore:	NVDD5894NLT4G
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	N-CHANNEL, MOSFET
Schede tecniche:	NVDD5894NLT4G Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2103pF @ 25V
Potenza - Max	3.8W (Ta), 75W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK-5

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 2500

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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