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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / SSM6L09FUTE85LF

SSM6L09FUTE85LF

codice articolo del costruttore: SSM6L09FUTE85LF
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Schede tecniche: SSM6L09FUTE85LF Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteActive
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 5V
Potenza - Max300mW
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 8762

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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