BSZ0910NDXTMA1

codice articolo del costruttore:	BSZ0910NDXTMA1
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	DIFFERENTIATED MOSFETS
Schede tecniche:	BSZ0910NDXTMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	OptiMOS™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 15V
Potenza - Max	1.9W (Ta), 31W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-WISON-8

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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