DN2625DK6-G

codice articolo del costruttore:	DN2625DK6-G
Produttore:	Roving Networks / Microchip Technology
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Schede tecniche:	DN2625DK6-G Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tray
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Depletion Mode
Tensione da Drain to Source (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.04nC @ 1.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DFN (5x5)

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