HS8K11TB

codice articolo del costruttore:	HS8K11TB
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Schede tecniche:	HS8K11TB Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	HSML3030L10

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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