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codice articolo del costruttore: | SQJ202EP-T1_GE3 |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
Parte della descrizione: | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO |
Schede tecniche: | SQJ202EP-T1_GE3 Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A, 60A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 6V |
Potenza - Max | 27W, 48W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Stato delle scorte: 4201
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
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