SIZ250DT-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SIZ250DT-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
Schede tecniche:	SIZ250DT-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET® Gen IV
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	840pF, 790pF @ 30V
Potenza - Max	4.3W (Ta), 33W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PowerPair® (3.3x3.3)

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