IRLHS6376TRPBF

codice articolo del costruttore:	IRLHS6376TRPBF
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
Schede tecniche:	IRLHS6376TRPBF Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	HEXFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 25V
Potenza - Max	1.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-PQFN (2x2)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 28563

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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