FDM3300NZ

codice articolo del costruttore:	FDM3300NZ
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	N-CHANNEL POWER MOSFET
Schede tecniche:	FDM3300NZ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	PowerTrench®
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1610pF @ 10V
Potenza - Max	900mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-MLP (3x3)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 86732

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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