HP8S36TB

codice articolo del costruttore:	HP8S36TB
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Schede tecniche:	HP8S36TB Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	-
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A, 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 15V
Potenza - Max	29W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSOP

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 2421

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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