BSZ15DC02KDHXTMA1

codice articolo del costruttore:	BSZ15DC02KDHXTMA1
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON
Schede tecniche:	BSZ15DC02KDHXTMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	419pF @ 10V
Potenza - Max	2.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8-FL

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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