TT8M2TR

codice articolo del costruttore:	TT8M2TR
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8
Schede tecniche:	TT8M2TR Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Not For New Designs
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V, 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSST

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