ALD111933PAL

codice articolo del costruttore:	ALD111933PAL
Produttore:	Advanced Linear Devices, Inc.
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Schede tecniche:	ALD111933PAL Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	EPAD®
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.35V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V
Potenza - Max	500mW
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDIP

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