FDMB2307NZ

codice articolo del costruttore:	FDMB2307NZ
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 6MLP
Schede tecniche:	FDMB2307NZ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	PowerTrench®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	800mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-MLP (2x3)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 400

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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