CSD75211W1723

codice articolo del costruttore:	CSD75211W1723
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	P-CHANNEL POWER MOSFET
Schede tecniche:	CSD75211W1723 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	NexFET™
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V
Potenza - Max	1.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	12-UFBGA, DSBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	12-DSBGA

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