SIB912DK-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SIB912DK-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Schede tecniche:	SIB912DK-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	95pF @ 10V
Potenza - Max	3.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SC-75-6L Dual

OPZIONI DI ACQUISTO

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