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Rochester Electronics / HUFA76413DK8T

HUFA76413DK8T

codice articolo del costruttore: HUFA76413DK8T
Produttore: Rochester Electronics
Parte della descrizione: N-CHANNEL POWER MOSFET
Schede tecniche: HUFA76413DK8T Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieUltraFET™
PacchettoBulk
Stato della parteObsolete
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds620pF @ 25V
Potenza - Max2.5W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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Calcolo del trasporto

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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