SSM6N951L,EFF

codice articolo del costruttore:	SSM6N951L,EFF
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TCSPA (2.14x1.67)

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