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codice articolo del costruttore: | AUIRF7313QTR |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
Parte della descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO |
Schede tecniche: | AUIRF7313QTR Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | HEXFET® |
Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 755pF @ 25V |
Potenza - Max | 2.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Stato delle scorte: 6986
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
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