PHN210,118

codice articolo del costruttore:	PHN210,118
Produttore:	NXP Semiconductors
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchMOS™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 20V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

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