SQ1912EH-T1_GE3

codice articolo del costruttore:	SQ1912EH-T1_GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
Schede tecniche:	SQ1912EH-T1_GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 10V
Potenza - Max	1.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-70-6

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 1110

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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