FDC8602

codice articolo del costruttore:	FDC8602
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Schede tecniche:	FDC8602 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	PowerTrench®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 50V
Potenza - Max	690mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	SuperSOT™-6

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 34403

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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