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codice articolo del costruttore: | MSCSM70TAM10CTPAG |
Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
Parte della descrizione: | PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P |
Schede tecniche: | MSCSM70TAM10CTPAG Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | - |
Pacchetto | Tube |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 238A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 80A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 700V |
Potenza - Max | 674W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6-P |
Stato delle scorte: 6
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente